Wersja twojej przeglądarki jest przestarzała. Zalecamy zaktualizowanie przeglądarki do najnowszej wersji.

Principles of Chemistry

Powierzchnia Hirshfelda

Powierzchnia Hirshfelda dla cząsteczki w krysztale jest konstruowana przez podzielenie przestrzeni kryształu na regiony, w których rozkład gęstości ładunków opisujących sumę udziałów sferycznych atomów dla cząsteczki (promolecule) przeważa nad sumą gęstości elektronowej kryształu ( procrystal). Zgodnie z modelem opracowanym przez Hirshfelda określamy wagi poszczególnych udziałów według wzorów:

Gdzie ρA(r) - sferyczny rozkład gęstości elektronowej na atomie A; promolecule, procrystal - oznaczają odpowiednio sumy gęstości należące do cząsteczek i do całego kryształu. Według tego powierzchnia Hirshfelda jest to obszar w którym w(r) ≥ 0,5.  W tym obszarze oddziaływania wewnątrz– i międzycząsteczkowe przeważają nad udziałem otoczenia kryształu.

 

 

 

 

 

 

 

Definiuje się dwie odległości:

  • di - odległość od powierzchni do najbliższego atomu wewnątrz obszaru zamkniętego powierzchnią
  • de - odległość od powierzchni do najbliższego atomu na zewnątrz powierzchni

Ponadto:

  • wskaźnik kształtu (shape index) S - mierzący „krzywiznę” powierzchni

  • stopień krzywizny (curvedness) C – wartości od -1 powierzchnia wklęsła, 0 – płaska; +1 wypukła


  • Normalized contact distance dnorm- zależne od di, de oraz promieni van derWalsa poszczególnych atomów